TLP5702(TP,E
Descripció
Paràmetres tècnics
El TLP5702 és un controlador de porta optoacoblador d'alt rendiment que inclou una configuració de sortida de pol tòtem, que garanteix una integritat eficient del senyal durant el control del dispositiu d'alimentació. Amb un impressionant corrent de sortida de ±2,5 A, aquest dispositiu permet una commutació precisa i fiable. Funcionant en un ampli rang de temperatures (-40 a 110 graus) i consumint un corrent de subministrament baix de 3,0 mA, el TLP5702 ofereix versatilitat i eficiència energètica. El seu rang de tensió d'alimentació de 15 a 30 V millora la compatibilitat amb diversos sistemes. El temps de retard de propagació ràpid del dispositiu (200 ns màxim) i la robusta immunitat transitòria en mode comú (± 30 kV/μs min) el fan adequat per a aplicacions de commutació d'alta velocitat, mentre que una tensió d'aïllament de 5000 Vrms garanteix la seguretat i la protecció contra els bucles de terra.
Productes relacionats:
|
Mfr Part |
TLP5702 |
TLP5702(D4-LF4,E |
TLP5702(D4-TP,E |
TLP5702(D4-TP4,E |
TLP5702(TP,E |
|
Descripció |
OPTOISO IGBT MOSFET DRIVER |
OPTOISO IGBT MOSFET DRIVER |
OPTOISO IGBT MOSFET DRIVER |
OPTOISO IGBT MOSFET DRIVER |
OPTOISO IGBT MOSFET DRIVER |
|
Estoc |
50000 |
50000 |
50000 |
50000 |
50000 |
|
Estat del producte |
Actiu |
Actiu |
Actiu |
Actiu |
Actiu |
|
Tecnologia |
Acoblament òptic |
Acoblament òptic |
Acoblament òptic |
Acoblament òptic |
Acoblament òptic |
|
Nombre de canals |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
|
Tensió - Aïllament |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
|
Immunitat transitòria en mode comú (mínim) |
20 kV/μs |
20 kV/μs |
20 kV/μs |
20 kV/μs |
20 kV/μs |
|
Retard de propagació tpLH/tpHL (màx.) |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
200ns, 200ns |
|
Distorsió de l'amplada del pols (màx.) |
50ns |
50ns |
50ns |
50ns |
50ns |
|
Corrent - Sortida Alta, Baixa |
2.5A, 2.5A |
2.5A, 2.5A |
2.5A, 2.5A |
2.5A, 2.5A |
2.5A, 2.5A |
|
Corrent - Sortida màxima |
2.5A |
2.5A |
2.5A |
2.5A |
2.5A |
|
Voltatge - directe (Vf) (típ) |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
|
Corrent - Redirecció de CC (si) (màx.) |
20 mA |
20 mA |
20 mA |
20 mA |
20 mA |
|
Tensió - Alimentació de sortida |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
|
Temperatura de funcionament |
-40 graus ~ 110 graus |
-40 graus ~ 110 graus |
-40 graus ~ 110 graus |
-40 graus ~ 110 graus |
-40 graus ~ 110 graus |
|
Paquet / estoig |
SDIP6 (7,5 x 1,27) |
SDIP6 (7,5 x 1,27) |
SDIP6 (7,5 x 1,27) |
SDIP6 (7,5 x 1,27) |
SDIP6 (7,5 x 1,27) |
|
paquet |
Cinta i bobina (TR) |
Cinta i bobina (TR) |
Cinta i bobina (TR) |
Cinta i bobina (TR) |
Cinta i bobina (TR) |
Aplicacions:
• Fogons d'inducció i electrodomèstics
• Inversors industrials
• Inversors d'aire condicionat
• Controladors de porta MOSFET
• Controladors de porta IGBT
General:
El TLP5702 és un fotoacoblador en un paquet SO6L de 6-pin que consisteix en un LED infrarojo acoblat òpticament a un xip IC de fotodetector d'alta velocitat i guany integrat. Proporciona un rendiment i especificacions garantits a una temperatura de fins a 110 graus.
El TLP5702 és físicament més petit / més prim que el d'un paquet DIP 8-pin i compleix amb els estàndards de seguretat internacionals per a l'aïllament reforçat. Per tant, proporciona una solució d'empremta més petita per a aplicacions que requereixen una certificació estàndard de seguretat. Un escut de soroll intern proporciona una immunitat transitòria en mode comú garantida de ±30 kV/ µs.
El TLP5702 és ideal per a IGBT de classe petita i mitjana i unitat de porta MOSFET de potència.
Etiquetes populars: tlp5702(tp,e, Xina tlp5702(tp,e fabricants, proveïdors)
Un parell de
NCP51563CADWR2GSegüent
TLP5701(TP,EEnviar la consulta
Potser també t'agrada
