IL716ETR13
Descripció
Paràmetres tècnics
Productes relacionats:
|
Mfr Part |
IL716 |
IL716E |
IL716ETR13 |
IL716ETR7 |
|
Descripció |
Aïllador digital |
Aïllador digital |
Aïllador digital |
Aïllador digital |
|
Estoc |
30000 |
30000 |
30000 |
30000 |
|
Estat del producte |
Actiu |
Actiu |
Actiu |
Actiu |
|
Tecnologia |
Acoblament capacitiu |
Acoblament capacitiu |
Acoblament capacitiu |
Acoblament capacitiu |
|
Tipus |
Propòsit general |
Propòsit general |
Propòsit general |
Propòsit general |
|
Tensió-Aïllament |
2,5 kVrms |
2,5 kVrms |
2,5 kVrms |
2,5 kVrms |
|
Velocitat de dades |
110 Mbps |
110 Mbps |
110 Mbps |
110 Mbps |
|
Potència aïllada |
No |
No |
No |
No |
|
Nombre de canals |
4 |
4 |
4 |
4 |
|
Entrades - Cara 1/Cara 2 |
2/2 |
2/2 |
2/2 |
2/2 |
|
Tipus de canal |
Unidireccional |
Unidireccional |
Unidireccional |
Unidireccional |
|
Immunitat transitòria en mode comú (mínim) |
30 kV/us |
30 kV/us |
30 kV/us |
30 kV/us |
|
Retard de propagació tpLH i tpHL (màx.) |
15 ns, 15 ns |
15 ns, 15 ns |
15 ns, 15 ns |
15 ns, 15 ns |
|
Distorsió de l'amplada del pols (màx.) |
3ns |
3ns |
3ns |
3ns |
|
Temps de pujada/caiguda (típic) |
1ns, 1ns |
1ns, 1ns |
1ns, 1ns |
1ns, 1ns |
|
Tensió - Alimentació |
3V ~ 5.5V |
3V ~ 5.5V |
3V ~ 5.5V |
3V ~ 5.5V |
|
Temperatura de funcionament |
-40 graus ~ 100 graus |
-40 graus ~ 100 graus |
-40 graus ~ 100 graus |
-40 graus ~ 100 graus |
|
Paquet / Estoig |
WSOP16(7,5x1,27)10,5 |
WSOP16(7,5x1,27)10,5 |
WSOP16(7,5x1,27)10,5 |
WSOP16(7,5x1,27)10,5 |
|
paquet |
Cinta i bobina (TR) |
Cinta i bobina (TR) |
Cinta i bobina (TR) |
Cinta i bobina (TR) |
Aplicacions:
• ADC i DAC
• Bus de camp digital
• Transmissió de dades multiplexada
• Comunicació junta a junta
• Eliminació del bucle de terra
• Bus paral·lel
• Canvi de nivell lògic
• Equips coberts per l'IEC 61010-1 Edició 3
• Aplicacions mèdiques IEC 60601-1 classificades 5 kVRMS
Descripció:
Els aïlladors digitals d'alta velocitat de quatre canals IL715, IL716 i IL717 de NVE són dispositius CMOS fabricats amb la tecnologia patentada* IsoLoop® spintrònica Giant Magnetoresistive (GMR) de NVE.
Una barrera composta de ceràmica/polímer única proporciona un excel·lent aïllament i una vida de barrera pràcticament il·limitada.
Tots els canals de transmissió i recepció funcionen a 110 Mbps en tot el rang de temperatura i tensió de subministrament. La barrera d'acoblament magnètic simètric proporciona un retard de propagació típic de només 10 ns i una distorsió d'amplada de pols de 2 ns, aconseguint les millors especificacions de qualsevol aïllador.
La immunitat transitòria mínima de 100 kV/µs és insuperable. L'alta densitat de canals fa que aquests dispositius siguin ideals per aïllar ADC i DAC, busos paral·lels i interfícies perifèriques.
Els IL715, IL716 i IL717 estan disponibles en 16-pin 0,3" i 0,15" SOIC i paquets QSOP ultraminiatura.
El rendiment s'especifica en un rang de temperatures de -40 graus a +100 graus. Les peces de la sèrie "T" i "V" tenen una temperatura de funcionament màxima de 125 graus.
Les versions de la sèrie V tenen una tensió d'aïllament extremadament alta de 6 kVRMS.
Etiquetes populars: il716etr13, fabricants, proveïdors de la Xina il716etr13
Un parell de
IL717ETR13Següent
IL715ETR13Enviar la consulta
Potser també t'agrada
